时间：2025/6/4 19:41:19
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GA0805A182JBABR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等场景。该器件采用了先进的增强型 GaN 技术，具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点，能够显著提升电力电子系统的性能。
与传统的硅基 MOSFET 相比，GA0805A182JBABR31G 提供了更低的开关损耗和更高的工作频率，非常适合需要紧凑设计和高性能表现的应用领域。
型号：GA0805A182JBABR31G
类型：GaN 功率晶体管
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ
栅极电荷(Qg)：6nC
反向传输电容(Crss)：49pF
封装形式：TO-252(DPAK)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA0805A182JBABR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 为 18mΩ，可有效降低传导损耗。
2. 高速开关能力，支持高达数 MHz 的开关频率，适用于高频应用。
3. 内置栅极驱动保护电路，增强了器件的可靠性和稳定性。
4. 具备优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 小型化封装设计，便于系统集成。
6. 支持宽禁带半导体技术，提供更高的功率密度和效率。
7. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器及 PFC（功率因数校正）电路。
3. 射频功率放大器和无线能量传输设备。
4. 电动汽车充电桩和车载充电器。
5. 工业电机驱动和逆变器控制。
6. 消费电子产品中的快充适配器和高效电源模块。
其高频特性和高效率使其成为现代电力电子设计的理想选择。
GAN061-650WSA
GAN1101-200E
IRGB4064DPBF
