时间：2025/5/22 11:49:54
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GA0805A181KXBBC31G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效率功率晶体管。该器件采用先进的封装技术，适用于高频开关应用，如电源适配器、无线充电设备和 LED 驱动器等。其卓越的性能来源于氮化镓材料的低电阻特性和快速开关能力，从而实现更高的功率密度和更小的体积设计。
GaN 器件相比传统硅基 MOSFET 具有更低的导通损耗和开关损耗，这使得 GA0805A181KXBBC31G 在高频工作条件下表现尤为出色。
型号：GA0805A181KXBBC31G
类型：增强型功率晶体管
材料：GaN（氮化镓）
最大漏源电压：650 V
最大连续漏极电流：8 A
栅极阈值电压：1.5 V - 3 V
RDS(on)（典型值）：18 mΩ
总功耗：200 W
封装形式：DFN8 (2x2mm)
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
1. 高效开关能力：得益于 GaN 材料的独特优势，此器件在高频条件下表现出极低的开关损耗。
2. 小尺寸设计：采用 DFN8 封装，节省 PCB 空间并支持紧凑型产品设计。
3. 快速开关速度：具有极短的开关时间，可显著降低能量损失。
4. 耐高温性能：能够在高达 125°C 的环境温度下稳定运行。
5. 强大的保护功能：集成过温保护及过流保护，确保系统可靠性。
6. 易于驱动：低栅极电荷设计简化了驱动电路的设计要求。
1. 消费类电子产品的快充解决方案。
2. 中小功率 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。
3. 无线充电发射端和接收端模块。
4. LED 照明驱动器中的高效转换部分。
5. 可再生能源领域的微型逆变器。
6. 工业自动化设备中的高频电源转换模块。
GAN008-650WSA
GS66508B
TX810GAN
