电容值：0.1μF
　　额定电压：50V
　　尺寸：0805 英寸（2.0mm x 1.25mm）
　　耐温范围：-55℃ 至 +125℃
　　介质材料：X7R
　　公差：±10%
　　封装类型：表面贴装 (SMD)
　　绝缘电阻：大于 1000MΩ
　　DF 值：小于 1%（1kHz 下）

GA0805A181KBABR31G 具有出色的频率特性和温度稳定性。由于采用了 X7R 介质材料，这款电容器在 -55℃ 至 +125℃ 的温度范围内能够保持稳定的电容值，并且拥有较低的损耗因数 (DF)。此外，其小尺寸和高可靠性使其非常适合于空间受限的电路设计。该电容器还具有较高的绝缘电阻，从而减少了漏电流对电路的影响。
　　在高频应用中，这款电容器能够提供优异的滤波效果，同时具备较长的使用寿命。其 ±10% 的公差确保了批量生产时的一致性，使得它成为许多消费类电子产品、工业控制设备和通信系统中的理想选择。

GA0805A181KBABR31G 广泛用于需要高稳定性和小型化的电子电路中。常见的应用场景包括电源滤波、音频电路中的耦合与退耦、微控制器周围的去耦电容配置以及 RF 电路中的匹配网络。具体应用领域涵盖消费电子（如智能手机和平板电脑）、汽车电子、工业自动化设备、医疗仪器以及电信设备。
　　例如，在电源模块中，该电容器可以用来平滑输出电压并减少纹波；在射频前端电路中，它可以作为匹配元件来优化信号传输效率。

GA0805A181KBAR31G
　　GRM188R60J104KA12D
　　KEMET C0805C104K5RACTU
　　TDK C104K5R5BB0805