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GA0805A121GBEBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 3:35:53 查看 阅读:7

GA0805A121GBEBT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 系列。该芯片主要用于大容量数据存储应用,具有高可靠性和快速读写性能。其设计适用于各种消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)等。
  该芯片采用先进的制程工艺,具备低功耗和高密度存储能力。同时支持多种接口协议,能够满足现代设备对高速数据传输的需求。

参数

容量:8GB
  存储类型:NAND Flash
  接口类型:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:TSOP
  数据速率:400MT/s
  温度范围:-40℃ 至 +85℃
  引脚数:48

特性

GA0805A121GBEBT31G 具有以下主要特性:
  1. 高密度存储能力,能够在小尺寸封装内提供大容量存储。
  2. 支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,提供更高的数据传输速率。
  3. 低功耗设计,适合移动设备和其他对能效要求较高的应用场景。
  4. 宽温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
  5. 内置错误检测与纠正(ECC)功能,提高数据可靠性。
  6. 提供多种容量选择,以适应不同需求的应用场景。
  7. 符合工业标准的封装和引脚定义,便于集成到现有系统中。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑中的嵌入式存储解决方案。
  2. 固态硬盘(SSD)的大容量数据存储。
  3. 数码相机、摄像机和其他多媒体设备的数据记录。
  4. 可穿戴设备和其他物联网(IoT)设备的存储需求。
  5. 工业控制和汽车电子系统的数据存储模块。
  6. 各种需要高效存储和快速数据访问的消费类电子产品。
  GA0805A121GBEBT31G 凭借其出色的性能和可靠性,成为众多高要求应用的理想选择。

替代型号

GA0805A121GBEBT32G, GA0805A121GBEBT33G

GA0805A121GBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-