时间：2025/5/30 21:11:15
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GA0805A120GBEBT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片主要应用于需要大容量数据存储和快速读写速度的设备中，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、记忆卡等。其采用先进的制程工艺制造，具备高可靠性和低功耗特性。
这款芯片支持多级单元（MLC）或多比特单元（TLC）技术，能够提供更大的存储密度和更优的成本效益。同时，它还集成了错误纠正码（ECC）功能以确保数据完整性，并支持串行接口协议以实现高效的数据传输。
容量：128Gb
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V±0.1V
页面大小：16KB
区块大小：8MB
擦除时间：典型值 1.2ms
编程时间：典型值 700μs
读取时间：典型值 45μs
数据保留时间：1年（在125°C条件下）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：BGA 169 球
GA0805A120GBEBT31G 提供了多种卓越的性能特点：
1. 高密度存储能力，适合大容量应用需求。
2. 支持 Toggle DDR 接口，数据传输速率高达 400MT/s。
3. 内置强大的 ECC 引擎，可有效检测和纠正数据错误。
4. 具备出色的耐久性，擦写次数达到数万次以上。
5. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境条件下的使用。
6. 低功耗设计，有助于延长设备电池寿命。
7. 符合 JEDEC 标准规范，便于系统集成与兼容性测试。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD），作为主存储介质提供高速数据访问能力。
2. 移动存储设备，如 USB 闪存盘和记忆卡，用于便携式数据存储。
3. 嵌入式系统中的代码存储或数据缓存功能。
4. 消费电子类产品，包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的存储解决方案。
5. 工业控制及汽车电子领域，满足对可靠性和稳定性的特殊要求。
GA0805A120GBEBT21G
GA0805A120GBEBT41G
