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GA0603Y683MBJAT31G 发布时间 时间:2025/5/24 11:15:11 查看 阅读:13

GA0603Y683MBJAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够满足各种高效率应用需求。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,通常用于要求高效能转换的应用场景中。其封装形式为 TO-263(D2PAK),便于散热并适应较高电流负载。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):140W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

GA0603Y683MBJAT31G 具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代高效开关电源设计。
  3. 强大的电流承载能力,可承受高达 30A 的连续电流。
  4. 出色的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  5. 封装设计优化了散热性能,使其在高功率应用场景下表现出色。
  6. 提供了全面的静电保护 (ESD),增强了产品的可靠性。

应用

该芯片适用于多种工业和消费电子领域,典型应用包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路,用于控制步进电机或无刷直流电机。
  3. 汽车电子设备中的负载开关和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. 通信设备中的电源管理单元。
  由于其优异的性能,这款 MOSFET 特别适合需要高效能量转换和快速响应的应用场景。

替代型号

GA0603Y683MBJAT31G 的常见替代型号包括 IRFZ44N、FDP5800 和 AO3400A。这些型号均具备类似的电气特性和应用范围,可根据具体需求选择合适的替代产品。

GA0603Y683MBJAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-