GA0603Y681JXCAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
该器件支持大电流操作,具备快速开关特性和良好的热稳定性,适合在高频率、高负载的应用环境中使用。
型号:GA0603Y681JXCAC31G
类型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):31A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
总栅极电荷(Qg):47nC
开关速度:Fast
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA0603Y681JXCAC31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (2.5mΩ),有效降低了传导损耗。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,有助于提升系统效率。
3. 高耐压能力(60V),可适应多种高压应用环境。
4. 支持高达 31A 的持续漏极电流,满足高功率需求。
5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 到 +175℃),保证了在极端条件下的可靠性。
6. 封装采用标准 TO-247,便于安装与散热设计。
这款功率 MOSFET 可用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类 DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 新能源领域如太阳能逆变器或电池管理系统(BMS)。
6. 高效电源管理方案中作为同步整流器的一部分。
GA0603Y681KXCAC31G, IRF3710, FDP057N06L