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GA0603Y681JXCAC31G 发布时间 时间:2025/6/4 18:45:59 查看 阅读:4

GA0603Y681JXCAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
  该器件支持大电流操作,具备快速开关特性和良好的热稳定性,适合在高频率、高负载的应用环境中使用。

参数

型号:GA0603Y681JXCAC31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):47nC
  开关速度:Fast
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0603Y681JXCAC31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (2.5mΩ),有效降低了传导损耗。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,有助于提升系统效率。
  3. 高耐压能力(60V),可适应多种高压应用环境。
  4. 支持高达 31A 的持续漏极电流,满足高功率需求。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 到 +175℃),保证了在极端条件下的可靠性。
  6. 封装采用标准 TO-247,便于安装与散热设计。

应用

这款功率 MOSFET 可用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 各类 DC-DC 转换器的核心功率元件。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 新能源领域如太阳能逆变器或电池管理系统(BMS)。
  6. 高效电源管理方案中作为同步整流器的一部分。

替代型号

GA0603Y681KXCAC31G, IRF3710, FDP057N06L

GA0603Y681JXCAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-