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GA0603Y272MBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:27:50 查看 阅读:4

GA0603Y272MBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。
  其封装形式为行业标准的表面贴装类型,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。

参数

型号:GA0603Y272MBXAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):38A
  导通电阻(Rds(on)):2.7mΩ
  总功耗(Ptot):240W
  工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
  封装:TO-247-3L

特性

GA0603Y272MBXAR31G 的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 2.7mΩ,这使得它在高电流应用中表现出色,同时降低了功率损耗。
  此外,该芯片支持高达 38A 的连续漏极电流,并具备快速开关能力,有助于减少开关损耗。
  芯片还具有出色的热稳定性,在高温环境下也能保持良好的性能。
  由于采用了最新的半导体制造工艺,此器件拥有更高的可靠性和更长的使用寿命,适用于工业级和汽车级应用。

应用

该芯片适合用于多种电力电子设备中的关键组件,包括但不限于以下应用:
  - 开关电源 (SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动控制
  - 电池保护电路
  - 工业自动化设备
  - 汽车电子系统
  - 照明驱动电路
  凭借其高效的开关特性和低损耗设计,GA0603Y272MBXAR31G 成为众多高性能电力转换系统的理想选择。

替代型号

GA0603Y271MBXAR31G
  IRFZ44N
  FDP5500
  STP36NF06L

GA0603Y272MBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-