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GA0603H681JBAAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:25:04 查看 阅读:4

GA0603H681JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合要求高效能和紧凑设计的应用场景。
  这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在降低功耗并提高系统效率,同时具备良好的电磁兼容性和可靠性。由于其优异的电气特性,GA0603H681JBAAT31G 在消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关时间:典型值 15ns/10ns(开启/关闭)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA0603H681JBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够支持高频操作,适应现代电子设备对小型化和高效率的需求。
  3. 高电流承载能力,确保在大负载条件下依然保持稳定运行。
  4. 出色的热性能,通过优化的散热设计,进一步提升了可靠性和使用寿命。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 可靠性高,经过严格的测试流程,能够在恶劣环境下长期工作。

应用

GA0603H681JBAAT31G 广泛适用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  5. 汽车电子系统的电池管理及电源分配。
  6. 大功率 LED 驱动器中的关键功率器件。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP36NF06L

GA0603H681JBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-