时间：2025/5/22 1:56:05
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GA0603H562MXXAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，可显著提高系统的效率和可靠性。
该型号为 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要快速开关和低功耗的应用场合。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3.8A
脉冲漏极电流(Ip)：11.4A
导通电阻(Rds(on))：5.6mΩ
栅极电荷(Qg)：20nC
输入电容(Ciss)：1190pF
输出电容(Coss)：265pF
开关时间：ton=17ns, toff=12ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
4. 优秀的热稳定性，能够承受较高的结温。
5. 内置 ESD 保护电路，提高抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 可靠性高，适合工业级及消费类电子应用。
1. 开关电源(SMPS) 的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动及控制电路。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. LED 驱动器中的开关器件。
6. 各类负载开关及保护电路。
GA0603H562MXXAC31T, IRF540N, FDP066N06L
