时间：2025/6/9 12:19:20
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GA0603H562KBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计。该器件主要应用于高效率、高频开关电源和电机驱动等场景中，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。其封装形式为 TO-263，能够提供出色的散热性能以满足高功率应用需求。
该芯片通过优化沟道结构和栅极设计，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体系统效率。此外，其具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能力，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
型号：GA0603H562KBAAR31G
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：34A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总栅极电荷（Qg）：78nC
输入电容（Ciss）：2900pF
输出电容（Coss）：68pF
反向传输电容（Crss）：95pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，有助于减小磁性元件体积并降低系统成本。
3. 高度稳定的动态特性，确保在不同负载条件下的可靠运行。
4. 短路耐受时间长，在过载或异常情况下能够保护电路。
5. 采用符合 RoHS 标准的环保材料，满足国际法规要求。
6. 具备优异的热性能，适合高功率密度的设计需求。
7. 可靠的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态情况下的安全性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. DC/DC 转换器中的高频开关元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换开关。
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
7. 汽车电子系统中的直流电机驱动及电源管理组件。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP16N60C
IXYS20N60C3
AOT290L-24E
