时间：2025/6/22 1:50:30
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GA0603H562JXAAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的整体效率并降低能耗。
该器件采用了 TO-247 封装形式，具备较强的散热能力，适合需要高功率密度的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：130nC
开关速度：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频操作，适用于现代高效能转换器。
3. 内置过温保护功能，增强系统可靠性。
4. 强大的电流承载能力，确保在高负载条件下稳定运行。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
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