时间：2025/5/24 21:34:15
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GA0603H561MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低功耗应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各种电源管理场景。其封装形式和电气特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。
这款器件在高频工作条件下表现出色，能够显著减少系统中的能量损耗，同时提升整体效能。
类型：功率 MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：4.5 mΩ（典型值，Vgs=10V）
击穿电压（BVDSS）：60 V
连续漏极电流（Id）：45 A（Tc=25°C）
栅极电荷（Qg）：78 nC
反向恢复时间（trr）：45 ns
封装形式：TO-263-3 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻确保了高效率和低热损耗。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
3. 提供出色的热性能，增强系统的可靠性和稳定性。
4. 紧凑的封装尺寸简化了 PCB 布局并节省空间。
5. 宽泛的工作温度范围支持恶劣环境下的应用需求。
6. 具备优秀的雪崩能力和鲁棒性，增强了器件的安全裕度。
1. 开关电源（SMPS）及 AC-DC 转换器。
2. 同步整流电路。
3. DC-DC 转换器与降压/升压模块。
4. 汽车电子中的负载开关和电机驱动。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
7. 通信电源及分布式供电架构中的功率分配。
GA0603H561MBAAJ31G, IRF6650N, FDP5500NL
