时间：2025/6/21 2:19:23
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GA0603H222MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能。
此型号专为工业级应用设计，能够在严苛的工作环境下保持稳定性和可靠性。其封装形式为 TO-247，支持大电流输出并提供出色的散热性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻：2.2mΩ 的超低导通电阻可以显著降低功率损耗，提高整体系统效率。
2. 高耐压能力：650V 的最大漏源电压使其适用于高压应用场景。
3. 快速开关性能：低栅极电荷（95nC）确保了快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 工业级可靠性：经过严格测试，可在极端温度条件下长时间稳定运行。
5. 散热优化：TO-247 封装提供了卓越的散热能力，适合高功率密度设计。
6. EMI 性能优异：内置优化的寄生参数，有助于降低电磁干扰。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC/DC 转换器
2. 电机驱动和逆变器
3. 太阳能微型逆变器
4. 电动工具和家电中的高效功率转换
5. UPS 系统和电池管理系统
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
GA0603H222MBBTR31G, IRFP260N, FQA14P12E
