时间：2025/6/23 20:40:25
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201R07S160GV4T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (e-mode GaN HEMT)，适用于高频和高效率的电源转换应用。该器件采用了先进的封装技术，以提高散热性能和电气特性。其低导通电阻和快速开关速度使其成为高效电源管理系统中的理想选择。
型号：201R07S160GV4T
类型：增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（e-mode GaN HEMT）
最大漏源电压(Vds)：650V
最大导通电阻(Rds(on))：160mΩ
最大漏极电流(Id)：7A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
201R07S160GV4T 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），确保在高压应用下的稳定性。
2. 极低的导通电阻（160mΩ），减少了传导损耗并提高了效率。
3. 快速开关能力，支持高达几兆赫兹的工作频率。
4. 内置ESD保护功能，提升了器件的鲁棒性。
5. 采用表面贴装技术（SMT）封装，易于集成到紧凑型设计中。
6. 宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C），适应各种恶劣环境条件。
7. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
这款芯片适用于多种高效率、高频工作的场景，如：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电系统
4. 电动汽车车载充电器
5. 太阳能逆变器
6. LED驱动电路
7. 工业电机驱动和控制
201R07S120GV4T
201R08S160GV4T
