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GA0603A560FBBAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 3:21:39 查看 阅读:11

GA0603A560FBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,主要应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该芯片具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点,适合需要高效能量转换和低功耗的应用环境。
  这款芯片在设计上注重散热性能和电气性能的优化,能够有效降低系统能耗并提升整体性能。

参数

型号:GA0603A560FBBAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):38A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):70nC
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  热阻(结至壳):1.4°C/W

特性

GA0603A560FBBAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以减少导通损耗,从而提高系统的整体效率。
  2. 高速开关能力,得益于较低的栅极电荷 (Qg),适用于高频应用。
  3. 强大的耐热性能,能够承受较高的结温,确保在高温环境下依然保持稳定运行。
  4. 封装形式为 TO-263 (D2PAK),具备良好的散热性能,并且易于集成到现有设计中。
  5. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 175°C),适应各种恶劣的工作条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  4. 工业设备中的功率控制和能量管理模块。
  5. 各类便携式设备的电池管理解决方案。
  6. 高效 LED 驱动器和音频放大器的功率输出级。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP55NF06L

GA0603A560FBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容56 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-