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GA0603A3R3DBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 23:39:56 查看 阅读:5

GA0603A3R3DBBAR31G 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),主要用于高频和高功率应用。该器件采用先进的封装技术,具有卓越的开关性能和热管理能力,适合要求高效能和小型化的应用场景。
  这款 GaN 器件在设计时考虑到了高频率下的低损耗需求,因此广泛应用于射频放大器、电源转换器和其他高性能电子系统中。

参数

型号:GA0603A3R3DBBAR31G
  类型:GaN HEMT
  额定电压:600V
  额定电流:3A
  导通电阻:35mΩ
  栅极电荷:20nC
  最大工作温度:175°C
  封装形式:DBBAR31G

特性

GA0603A3R3DBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压:支持高达 600V 的工作电压,使其适用于高压环境中的应用。
  2. 超低导通电阻:仅为 35mΩ,显著降低了传导损耗。
  3. 快速开关速度:得益于其低栅极电荷(20nC),能够实现快速开关操作,从而提高效率并减少电磁干扰。
  4. 优异的热性能:采用先进的封装技术,确保器件能够在高温条件下稳定运行。
  5. 小型化设计:相比传统硅基器件,GaN 技术允许更小尺寸的封装,同时保持相同的性能水平。

应用

该芯片适用于多种领域:
  1. 通信设备:如基站射频放大器和高速数据传输模块。
  2. 电源管理:包括 DC-DC 转换器、逆变器以及 AC-DC 适配器。
  3. 工业自动化:用于驱动电机或其他高功率负载。
  4. 汽车电子:电动汽车充电系统和车载电子装置。
  5. 消费类电子产品:快充设备和高效能家用电器。

替代型号

GAN0603A3R3DS8,
  GAN0603A3R3DSC,
  GA0603A3R3DBBAR24G

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GA0603A3R3DBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容3.3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-