类型：SiC MOSFET
　　额定电压：1200V
　　额定电流：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 14mΩ（最大值 18mΩ）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 90nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：1200V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247-4

IKQ100N120CS7 采用英飞凌先进的碳化硅半导体技术，具备极低的导通电阻和出色的开关性能，从而显著降低导通损耗和开关损耗。该器件支持更高的开关频率，有助于减小外围无源元件的尺寸，提高系统的功率密度。此外，其宽广的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　该MOSFET还配备了优化的栅极结构，提供更稳定的栅极控制，减少开关过程中的振荡和电磁干扰（EMI）。同时，其高达175°C的最大工作温度允许在高温条件下使用，适用于风冷或液冷系统中的高功率应用。
　　在短路和过流保护方面，IKQ100N120CS7 具有良好的抗短路能力，能够在异常工况下提供更高的安全裕量，保障系统的稳定性和安全性。

IKQ100N120CS7 广泛应用于高功率和高效率要求的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、逆变器、工业电机驱动、光伏逆变器以及储能系统等。其优异的导热性能和高频开关能力使其成为需要高功率密度和高效能转换的理想选择。
　　在电动汽车领域，该器件可用于主驱逆变器和充电模块，提升整车能效并延长续航里程。在可再生能源系统中，例如太阳能逆变器和储能逆变器，IKQ100N120CS7 可显著提升转换效率，降低系统损耗。此外，在工业电源和UPS（不间断电源）系统中，该器件也广泛用于实现更高效率和更小体积的设计。

SiC MOSFET 的替代型号包括 Infineon 的 IKQ120N120CS6、IKQ75N120CS6，以及 ROHM 的 SCT3045KL、SCT3080KL，还有 Cree/Wolfspeed 的 C3M0065090D 和 C3M0075120K 等。