GA0603A390FBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提升系统的效率并降低功耗。
该器件适用于高频率开关场景,能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计。
型号:GA0603A390FBBAT31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):39A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA0603A390FBBAT31G 的主要特点是低导通电阻,仅为 3.5mΩ,这使得其在大电流应用场景下可以显著减少导通损耗。此外,它还具备非常快的开关速度,有助于降低开关损耗并提高高达 39A 的连续漏极电流,使其非常适合需要高功率输出的应用。同时,它的最大漏源电压为 60V,保证了在较高电压环境下仍能正常工作。
另外,该器件的工作温度范围很广,从 -55℃ 到 +175℃,确保在极端环境条件下也能可靠运行。其 TO-247 封装形式则进一步增强了散热性能,满足高功率密度设计的需求。
GA0603A390FBBAT31G 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):由于其低导通电阻和高效率,该器件非常适合用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动:可用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制。
3. 电池管理系统(BMS):提供高效的充放电管理功能。
4. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等。
5. 汽车电子:包括电动助力转向系统(EPS)、制动系统等。
总之,任何需要高效功率转换和控制的地方都可以使用 GA0603A390FBBAT31G。
IRFP2907ZPBF, FDP18N60C, IXFN100N06L2