GA0603A2R2DXCAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频、高效率的应用场景。该器件采用先进的封装技术,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻,从而降低功耗并提高系统效率。
这款 GaN 晶体管特别适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、快充适配器以及各种需要高频工作的电力电子设备中。通过其高性能表现,可以显著减小磁性元件的体积,并进一步优化整个系统的尺寸与成本。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:3A
导通电阻:220mΩ
栅极电荷:50nC
反向恢复时间:8ns
工作温度范围:-40℃ to +125℃
1. 基于氮化镓(GaN)材料制造,具备高频、高效的特点。
2. 极低的导通电阻(220mΩ),有效减少传导损耗。
3. 高速开关能力,反向恢复时间仅为8ns,非常适合高频应用。
4. 小型化的封装设计,有助于缩小整体电路板面积。
5. 良好的热性能,在高温环境下仍能保持稳定运行。
6. 内置 ESD 保护功能,增强器件的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS)
2. 快速充电器及适配器
3. 电机驱动与控制
4. 工业用逆变器
5. LED 驱动器
6. 通信电源模块
7. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器
8. 其他需要高频高效率的电力电子系统
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