时间：2025/6/23 23:01:13
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GA0603A100KBAAR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用先进的封装技术，具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点。它主要应用于高频功率转换领域，例如 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电以及新能源汽车中的电力电子系统。
该 GaN 晶体管的设计结合了增强型模式（E-Mode），使其在常关状态下更加安全可靠，适合多种工业和消费类应用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复电荷：无（因无体二极管）
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-4
GA0603A100KBAAR31G 的显著特点包括：
1. 高效性能：由于其低导通电阻和快速开关能力，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
2. 热稳定性：该器件可以在较高温度范围内稳定工作，适应恶劣环境。
3. 易于驱动：增强型设计简化了驱动电路设计，不需要复杂的偏置电源。
4. 小尺寸封装：与传统硅基 MOSFET 相比，具备更高的功率密度。
5. 零反向恢复电荷：消除了传统 Si-MOSFET 中常见的反向恢复损耗问题，进一步提高了效率。
这款 GaN HEMT 器件适用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 电动汽车（EV）车载充电器：
3. 太阳能微型逆变器：
4. 数据中心服务器电源：
5. 无线充电设备：
6. 激光雷达（LiDAR）驱动等需要高频高效功率转换的应用。
GA0603A100KBAAR21G, KGD65R090MD, EPC2016C
