时间：2025/5/28 11:42:09
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GA0402Y822MXXAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管。该器件适用于高频开关应用，例如电源适配器、无线充电设备、LED驱动器以及各类高效能DC-DC转换器等。其采用增强型常闭结构设计（E-Mode），确保在默认状态下处于关闭状态，从而提升系统的安全性和可靠性。
相比传统的硅基MOSFET，此款GaN晶体管具有更低的导通电阻和更快的开关速度，能够显著减少开关损耗并提高整体效率。
型号：GA0402Y822MXXAP31G
类型：GaN HEMT
工作电压：650V
持续电流：4A
导通电阻：22mΩ
栅极电荷：25nC
最大工作温度：175°C
封装形式：PQFN5*6
GA0402Y822MXXAP31G 具备出色的高频性能，能够在MHz级别的开关频率下运行，同时保持较低的开关损耗。得益于其低导通电阻特性，该器件非常适合用于高电流密度的应用场景，并且能够有效降低热管理难度。
此外，它还集成了全面的保护功能，包括过温关断、过流限制以及短路保护等，进一步增强了产品的耐用性和安全性。
由于采用了先进的PQFN封装工艺，这款GaN晶体管不仅具备良好的散热性能，而且体积小巧，有助于简化电路板布局设计，满足现代电子产品对小型化的需求。
GA0402Y822MXXAP31G 广泛应用于各种需要高效率和高频响应的领域，典型应用包括快充适配器、服务器电源、电动汽车车载充电器（OBC）、光伏逆变器、LED照明系统及无线充电模块等。
在快充适配器中，该器件可实现超过95%的转换效率，同时支持更高功率密度的设计。而在无线充电领域，其快速开关能力可以帮助构建高效的谐振电路，从而优化充电体验。
GAN041-650WSA
GAN20T650HS-G
IRGB4064DPBF
