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GA0402Y392MXBAP31G 发布时间 时间:2025/6/5 20:18:57 查看 阅读:9

GA0402Y392MXBAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合需要高效能和低功耗的应用场景。
  该器件内部集成了多种保护功能,如过流保护、过温保护等,确保在复杂的工作环境下能够稳定运行。同时,其封装形式紧凑,便于设计到各种小型化设备中。

参数

型号:GA0402Y392MXBAP31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  总功耗(Ptot):180W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

GA0402Y392MXBAP31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下保持较低的功耗。
  2. 高速开关性能,支持高频应用。
  3. 内置过流保护和过温保护功能,提升系统的可靠性和安全性。
  4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间,方便应用于小型化产品。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
  6. 高击穿电压和高电流处理能力,适用于多种高功率应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 直流无刷电机(BLDC)的驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
  4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  5. LED驱动器和电池充电管理电路。
  6. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。

替代型号

GA0402Y392MXBAP31H, IRFZ44N, FDP5500

GA0402Y392MXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-