时间：2025/6/28 13:26:05
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GA0402Y182MXBAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，适用于高频和高效率应用场景。该器件采用先进的 GaN 工艺，提供卓越的开关性能和低导通电阻特性，能够显著提升电源系统的效率和功率密度。
该型号属于增强型场效应晶体管（e-mode HEMT），设计用于硬开关和软开关应用，如 DC-DC 转换器、PFC 电路以及无线充电设备等。其封装形式为紧凑型芯片级封装（CSP），有助于减少寄生电感并优化高频表现。
额定电压：650V
额定电流：4A
导通电阻：180mΩ
栅极驱动电压：4V 至 6V
最大工作结温：175°C
封装形式：CSP
开关频率范围：高达 5MHz
输入电容：约 15pF
GA0402Y182MXBAP31G 的主要特点是结合了低导通电阻与快速开关能力。其典型特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了更低的传导损耗，从而提高系统效率。
2. 高频开关能力支持小型化设计，尤其在高频电源转换器中表现出色。
3. 内置保护机制，例如静电放电（ESD）防护功能，提升了器件的可靠性。
4. 支持超快瞬态响应，适合高动态负载环境。
5. 紧凑型 CSP 封装最大限度地减少了寄生效应，同时节省了 PCB 空间。
此器件广泛应用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源适配器及充电器
2. 数据中心服务器电源
3. 工业用 DC-DC 转换器
4. 汽车电子中的车载充电器
5. 高效 LED 驱动器
6. 无线电力传输模块
7. 能量回收装置和储能系统
GAN041-650WSA
GAN042-650EPA
