2SK1505是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点,适用于多种功率电子应用。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):900V
最大漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
栅极电压(Vgs):±30V
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
晶体管配置:单管
2SK1505具有多项优异的电气和物理特性,使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先,其高耐压能力(900V)使其适用于高电压环境,确保在极端条件下的稳定运行。其次,低导通电阻(1.2Ω)有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,其高电流承载能力(8A)和良好的热稳定性使其能够在高负载条件下长时间工作。
该MOSFET采用TO-220封装,具有良好的散热性能,便于安装在散热器上,进一步提升其热管理能力。同时,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在各种环境条件下的可靠性。2SK1505的栅极电压范围为±30V,提供了良好的栅极控制能力,减少了误触发的风险。
2SK1505常用于需要高电压和高效率的功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备和照明控制系统等。其优异的性能使其成为这些应用中理想的功率开关元件。
2SK1506, 2SK1507, 2SK2013