时间：2025/5/19 9:32:13
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GA0402Y182JXJAC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及无线充电等应用场景。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具备低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装，适合高密度电路设计。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：2A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：25nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-40℃ 至 125℃
GA0402Y182JXJAC31G 具有以下显著特性：
1. 氮化镓材料带来的卓越开关性能，能够显著提高系统的效率和功率密度。
2. 高速开关能力使得它非常适合高频应用场合。
3. 低导通电阻降低了传导损耗，从而提高了整体能效。
4. 增强型设计确保了在正栅极驱动下的安全操作。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 支持零电压开关（ZVS）拓扑，进一步减少开关损耗。
7. 提供出色的热稳定性和可靠性，适合长时间运行。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括适配器和充电器。
2. 高频 DC-DC 转换器。
3. 无线电力传输系统。
4. LED 照明驱动器。
5. 太阳能微型逆变器。
6. 工业电机控制与驱动。
7. 数据中心高效电源模块。
由于其高频特性和低损耗，它是提升现代电子设备性能的理想选择。
GAN042-650R2C, GS66502B
