时间：2025/6/19 4:29:08
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GA0402H821KXXAP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。此外，它还具备快速开关速度和优秀的抗干扰能力，非常适合对功耗和可靠性要求较高的应用。
器件类型：MOSFET
封装类型：TO-252 (DPAK)
额定电压：40V
额定电流：21A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷：35nC
连续漏极电流：21A
工作温度范围：-55°C 至 175°C
最大功耗：21W
GA0402H821KXXAP31G 提供了非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
该芯片采用了优化的内部结构设计，以实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
其出色的热性能使其能够在高温环境下保持稳定运行，适用于各种恶劣的工作条件。
内置的保护机制包括过温保护和过流保护，从而提高了整体系统的可靠性和安全性。
同时，它支持高频操作，适合现代高效能电子设备的需求。
该芯片广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED驱动器以及电池管理系统等场景。
在通信设备中，它可用于电源模块和信号调节部分。
工业自动化领域中，它可以作为功率级元件用于控制伺服电机或其他负载。
汽车电子方面，这款芯片也适用于车载充电器、电动助力转向系统等需要高效率和大电流的应用。
GA0402H821KXXBP31G
