时间：2025/6/21 18:14:28
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FN18N5R6D500PSG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计适用于各种需要高效能和高可靠性的应用场景，如电源适配器、DC-DC转换器和电机驱动等。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻：5.6mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1250pF
功耗：270W
工作温度范围：-55℃至175℃
FN18N5R6D500PSG具备优秀的电气特性和可靠性。它采用了沟槽式结构以降低导通电阻，同时优化了开关损耗，从而提高了整体效率。
该器件具有较高的雪崩击穿能量承受能力，能够在异常情况下提供额外保护。
此外，其封装形式经过特别设计，能够有效改善散热性能并增强机械稳定性。
由于其高耐压和大电流承载能力，这款MOSFET非常适合用于要求苛刻的工业和汽车环境。
FN18N5R6D500PSG广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机控制和驱动
5. 充电器和电池管理系统
6. 工业自动化设备
其强大的性能和宽泛的工作温度范围使其成为众多高功率应用的理想选择。
IRFP460, STP18NF50, FDP18N50
