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GA0402H332MXXAC31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:23:34 查看 阅读:18

GA0402H332MXXAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,通过优化的芯片设计和封装技术,能够有效降低功耗并提升系统的整体性能。其出色的热特性和可靠性使得 GA0402H332MXXAC31G 在工业控制、消费电子以及汽车电子领域中得到广泛应用。

参数

额定电压:650V
  额定电流:33A
  导通电阻:35mΩ
  栅极电荷:80nC
  最大功耗:160W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0402H332MXXAC31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合,降低开关损耗。
  3. 内置防静电保护电路,增强器件的鲁棒性。
  4. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下长期可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 封装结构坚固耐用,便于散热和安装。
  这些特性使其成为高效率功率转换应用的理想选择。

应用

GA0402H332MXXAC31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业自动化设备中的功率模块
  6. 电动汽车中的 DC-DC 转换器
  7. 家用电器中的高效功率管理
  凭借其卓越的性能和可靠性,该芯片在各种需要高效功率转换的场景中表现优异。

替代型号

GA0402H332MXXAC31T, IRF840, FQP50N06L

GA0402H332MXXAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-