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GA0402H331KXBAC31G 发布时间 时间:2025/5/24 20:04:07 查看 阅读:11

GA0402H331KXBAC31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  其封装形式为行业标准的TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用,同时具备良好的电气隔离特性和散热能力。

参数

型号:GA0402H331KXBAC31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(最大漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):3.5mΩ
  Id(持续漏极电流):80A
  Qg(栅极电荷):17nC
  fT(截止频率):1.2MHz
  Vgs(th)(阈值电压):2V~4V
  Pd(最大功耗):239W
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

GA0402H331KXBAC31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频应用场合。
  3. 优异的热稳定性,确保在极端温度条件下依然保持可靠运行。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于实现高密度布局。
  5. 内置ESD保护电路,增强了抗静电能力,提高了产品的耐用性。
  6. 符合RoHS环保标准,满足绿色制造要求。

应用

该芯片的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC/DC转换器及降压/升压电路中的功率开关。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载控制和保护。
  5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  6. 其他需要高效功率管理的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, AO3400

GA0402H331KXBAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-