类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：250V
　　平均整流电流（Io）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1.25A
　　正向压降（VF）：典型值800mV @ 10mA，最大1.2V @ 10mA
　　反向漏电流（IR）：最大5μA @ 25°C，最大500μA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：最大4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-323（SC-90）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

SMH250J-07RT具备卓越的高速开关性能，这主要归功于其极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为4ns，使其能够在高频开关电路中有效减少开关损耗并提高系统效率。这种快速响应能力对于脉冲宽度调制（PWM）控制、高频DC-DC转换器以及数字信号整流等应用场景至关重要。由于采用了先进的肖特基势垒技术，该器件在低电流工作条件下仍能保持较低的正向导通压降，典型值在10mA时为800mV，最大不超过1.2V，从而显著降低功耗，提升能源利用率。
　　该二极管的最大重复反向电压高达250V，远高于一般低压肖特基二极管的耐压水平，扩展了其在中高压开关电路中的适用范围，如AC-DC适配器、反激式电源中的续流或阻断应用。同时，其200mA的平均整流电流能力足以满足大多数中小功率信号与电源路径的需求。器件在高温环境下仍能保持良好的稳定性，反向漏电流在125°C时最大为500μA，确保在恶劣热条件下的可靠运行。
　　SOD-323封装使SMH250J-07RT具有极小的占板面积和高度，非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的产品。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其具备汽车级的可靠性，可用于车载信息娱乐系统、传感器模块或车身电子控制单元。整体结构设计优化了热传导路径，提升了散热效率，延长了使用寿命。

SMH250J-07RT广泛应用于多种高性能电子系统中，特别是在需要高速开关响应和节省空间的设计场合。它常用于便携式消费类电子产品中的电源管理电路，例如手机充电回路、电池保护模块和USB接口的瞬态电压抑制。在通信设备中，该二极管可用于信号解调、检波以及射频前端的保护电路，利用其快速响应特性防止瞬态过压对敏感元件造成损害。
　　在计算机及外设领域，SMH250J-07RT被用作数据线上的钳位二极管，提供ESD保护和信号整形功能，常见于HDMI、DisplayPort等高速接口电路中。此外，在工业自动化控制系统中，该器件可用于PLC输入输出模块的信号隔离与整流，或作为继电器驱动电路中的续流二极管，抑制电感负载断开时产生的反电动势。
　　由于其通过AEC-Q101认证，SMH250J-07RT也适用于汽车电子应用，包括车载充电器、LED照明驱动、CAN总线保护电路以及传感器信号调理模块。在电源转换系统中，它可以作为辅助绕组的整流二极管使用于反激变换器中，尤其是在待机电源或辅助电源部分，发挥其高效率和小体积的优势。此外，该器件还可用于太阳能充电控制器、智能电表和物联网终端设备中，承担电压箝位、极性保护和能量回收等功能。

SMH250J-07R, SMB250J-07RT, MMBZ250J-7-F