时间：2025/5/21 18:09:57
阅读：2
GA0402A680GXXAP31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用增强型 GaN FET 技术，具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少热损耗。
该芯片封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产和紧凑型设计需求，同时其高可靠性使其成为工业电源、通信设备以及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：68mΩ
栅极-源极电压（开启）：4V
栅极-源极电压（关断）：0V
开关频率：高达 5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：P31G
GA0402A680GXXAP31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，从而减小磁性元件尺寸并优化整体设计。
3. 高耐压能力，确保在宽输入电压范围内的稳定运行。
4. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强系统的安全性和稳定性。
5. 小型化封装设计，便于高密度 PCB 布局，并与现代制造工艺兼容。
6. 出色的热性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度。
GA0402A680GXXAP31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动汽车充电站及车载充电器。
3. 工业电机驱动与逆变器。
4. 数据中心服务器电源模块。
5. 消费类电子产品中的快充适配器。
6. 可再生能源发电系统，例如太阳能微型逆变器。
GA0402A680GXXAP30G, GA0402A680GXXAP32G
