GA0402A390JXXAC31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET芯片,属于U-MOS VIII-H系列。该芯片采用了先进的U-MOS技术,具有低导通电阻、高效率和出色的开关性能,适用于各种高频开关应用场合。其封装形式为DSOP-B4,能够有效提升散热性能,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产。
该器件主要面向消费电子、工业控制以及汽车电子等领域,可广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等场景。
型号:GA0402A390JXXAC31G
制造商:东芝(Toshiba)
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极耐压):40V
Rds(on)(导通电阻):3.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):80A
Qg(栅极电荷):5.8nC(典型值)
Eoss(输出电容能量损耗):16nJ(典型值)
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:DSOP-B4
GA0402A390JXXAC31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关条件下减少功耗,提高整体效率。
2. 高效的热设计,通过优化封装结构提升了散热性能。
3. 出色的开关速度,得益于较低的栅极电荷(Qg),可以有效降低开关损耗。
4. 耐热能力优秀,支持高达175℃的工作温度范围,适应恶劣环境下的应用需求。
5. 稳定可靠的性能表现,适合长时间运行在高负载条件下的系统。
6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。
这些特点使得 GA0402A390JXXAC31G 成为许多高性能电力电子设备的理想选择。
该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(Switching Power Supplies)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级组件,例如用于无刷直流电机(BLDC)驱动。
3. DC-DC转换器中作为高效开关元件使用。
4. 工业逆变器及太阳能逆变器的核心功率模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
6. 各类需要大电流、低损耗的功率转换电路。
凭借其优异的电气特性和可靠性,GA0402A390JXXAC31G 在上述领域表现出色,满足了现代电力电子技术对高效能、小型化和高可靠性的要求。
GA0402A390JXXAC31H
GA0402A390JXXAC31K
TPH2R605PL
IRL3803