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BSZ040N04LS G 发布时间 时间:2025/6/6 12:31:10 查看 阅读:5

BSZ040N04LS G 是一款基于沟槽型 MOSFET 技术的 N 沟道功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各种高效能电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等。其封装形式为 SOT23-3L,适合紧凑型设计需求。
  此功率 MOSFET 的核心技术在于优化了芯片结构以降低 Rds(on),从而提高了整体效率并减少了功率损耗。

参数

最大漏源电压(Vdss):40V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):4.5A
  导通电阻(Rds(on)):100mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):900mW
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT23-3L

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,能够满足高频开关应用的需求。
  3. 小尺寸 SOT23-3L 封装,非常适合空间受限的设计。
  4. 具备出色的雪崩能力和 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性和耐用性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的主开关或续流二极管替代。
  3. 各类负载开关应用。
  4. 电池供电设备中的电池保护电路。
  5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
  6. 小功率电机驱动控制。

替代型号

AO3400A, FDMT3400P, Si2304DS

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BSZ040N04LS G参数

  • 数据列表BSZ040N04LSG BSZ040N04LS G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 36µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 20V
  • 功率 - 最大69W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSZ040N04LSGBSZ040N04LSGINTRBSZ040N04LSGXTSP000388295