时间：2025/6/6 12:31:10
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BSZ040N04LS G 是一款基于沟槽型 MOSFET 技术的 N 沟道功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种高效能电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等。其封装形式为 SOT23-3L，适合紧凑型设计需求。
此功率 MOSFET 的核心技术在于优化了芯片结构以降低 Rds(on)，从而提高了整体效率并减少了功率损耗。
最大漏源电压(Vdss)：40V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：4.5A
导通电阻(Rds(on))：100mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：900mW
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT23-3L
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，能够满足高频开关应用的需求。
3. 小尺寸 SOT23-3L 封装，非常适合空间受限的设计。
4. 具备出色的雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性和耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的主开关或续流二极管替代。
3. 各类负载开关应用。
4. 电池供电设备中的电池保护电路。
5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
6. 小功率电机驱动控制。
AO3400A, FDMT3400P, Si2304DS
