GA0402A390FXBAP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,适用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点。其封装形式为行业标准,便于设计和生产。
型号:GA0402A390FXBAP31G
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Pd):150W
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
封装:TO-247
GA0402A390FXBAP31G 提供了优异的电气性能。
1. 低导通电阻(Rds(on)):仅为 4mΩ,有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力:由于具备较低的输入电容和输出电荷,该器件能够在高频条件下保持高效运行。
3. 高可靠性:通过严格的筛选测试以确保在极端环境下的稳定性。
4. 热性能优越:其 TO-247 封装能够有效散发热量,从而延长使用寿命。
5. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃,适合各种恶劣条件下的应用。
这些特点使 GA0402A390FXBAP31G 成为需要高效能功率管理系统的理想选择。
GA0402A390FXBAP31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动:用于控制各类直流无刷电机和其他类型的电动机。
3. 工业自动化设备:如伺服控制器和机器人。
4. 汽车电子系统:例如电动车充电器和逆变器。
5. 其他高功率密度应用:比如不间断电源 (UPS) 和电池管理系统 (BMS)。
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