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GA0402A1R0DXBAP31G 发布时间 时间:2025/5/31 0:12:06 查看 阅读:8

GA0402A1R0DXBAP31G 是一款基于砷化镓(GaAs)材料的高性能射频放大器芯片,广泛应用于通信系统中的信号放大场景。该芯片采用先进的工艺制程设计,具有高增益、低噪声和宽频率范围的特点,适合在无线通信、雷达系统以及卫星通信等领域中使用。
  此型号具体集成了功率放大器(PA)模块,并针对小型化和高效能进行了优化设计,适用于对尺寸和性能有较高要求的应用环境。

参数

类型:射频放大器
  工作频率范围:4.0 GHz 至 4.2 GHz
  增益:22 dB
  输出功率(P1dB):26 dBm
  电源电压:5 V
  静态电流:200 mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA0402A1R0DXBAP31G 的主要特性包括:
  1. 高线性度和稳定性,确保在复杂通信环境下的可靠运行。
  2. 内置匹配网络,简化了外围电路设计并降低了开发难度。
  3. 具备良好的热性能和电气隔离能力,可适应恶劣的工作条件。
  4. 小型化的封装设计有助于减少整体系统的体积和重量。
  5. 支持多模式操作,能够灵活适配不同通信协议的需求。
  6. 提供优异的效率表现,降低功耗以延长设备续航时间。

应用

该芯片适用于以下典型应用场景:
  1. 无线基础设施,如基站收发信机(BTS)和微波链路设备。
  2. 军事及航空航天领域,例如雷达系统和卫星通信终端。
  3. 测试测量仪器,用于高频信号生成与分析。
  4. 物联网(IoT)网关和远程传感器节点的信号增强。
  5. 移动通信终端中的射频前端模块。

替代型号

GA0402A1R0DXCAP31G, GA0402A1R0DXEAP31G

GA0402A1R0DXBAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-