时间：2025/6/13 18:44:34
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GA0402A151GXXAC31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用DPAK封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频开关条件下保持高效的性能表现。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，其设计能够支持高效率的能量转换，适用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
型号：GA0402A151GXXAC31G
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：78A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK (TO-263)
GA0402A151GXXAC31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))：2.5mΩ，使得导通损耗显著降低，从而提升整体效率。
2. 较高的最大漏极电流 (Id)：78A，确保在高负载条件下稳定运行。
3. 支持宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应各种恶劣环境下的应用需求。
4. 高速开关能力，适合高频电路设计。
5. DPAK封装提供良好的散热性能，同时具备较高的电气隔离性能。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
GA0402A151GXXAC31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. DC-DC转换器和逆变器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 汽车电子系统，如电动车窗、座椅调节及冷却风扇控制等。
6. 其他需要高效能量转换和高电流承载能力的场景。
IRFZ44N, STP75NF06L, FDP5500
