GA0402A151GXAAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和无线充电等场景。其高电子迁移率晶体管(HEMT)结构使其具备卓越的开关速度和低导通电阻特性,能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
此外,该芯片采用增强型设计,具有正向栅极驱动电压,易于与传统 MOSFET 驱动电路兼容,同时支持高达 200V 的工作电压范围。
型号:GA0402A151GXAAC31G
封装形式:QFN8*8
额定电压:200V
导通电阻:150mΩ
最大电流:4A
栅极驱动电压:4V~6V
工作温度范围:-40℃~+125℃
开关频率:最高可达 10MHz
静态功耗:小于 1μA
这款 GaN 功率芯片具备以下突出特性:
1. 极低的导通电阻,可降低传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关能力,允许在高频下运行,从而减少磁性元件体积和成本。
3. 增强型设计简化了驱动电路的设计难度,并提高了可靠性。
4. 内置全面保护功能,包括过流保护、短路保护以及热关断保护,确保安全运行。
5. 小巧的 QFN 封装形式,有助于缩小 PCB 占用面积。
GA0402A151GXAAC31G 广泛适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
2. USB-PD 充电器和快充适配器
3. 智能手机和笔记本电脑无线充电模块
4. LED 驱动电源
5. 太阳能微型逆变器
6. 通信设备中的高效电源管理系统