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GA0402A151GXAAC31G 发布时间 时间:2025/5/20 21:24:42 查看 阅读:17

GA0402A151GXAAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和无线充电等场景。其高电子迁移率晶体管(HEMT)结构使其具备卓越的开关速度和低导通电阻特性,能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
  此外,该芯片采用增强型设计,具有正向栅极驱动电压,易于与传统 MOSFET 驱动电路兼容,同时支持高达 200V 的工作电压范围。

参数

型号:GA0402A151GXAAC31G
  封装形式:QFN8*8
  额定电压:200V
  导通电阻:150mΩ
  最大电流:4A
  栅极驱动电压:4V~6V
  工作温度范围:-40℃~+125℃
  开关频率:最高可达 10MHz
  静态功耗:小于 1μA

特性

这款 GaN 功率芯片具备以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻,可降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关能力,允许在高频下运行,从而减少磁性元件体积和成本。
  3. 增强型设计简化了驱动电路的设计难度,并提高了可靠性。
  4. 内置全面保护功能,包括过流保护、短路保护以及热关断保护,确保安全运行。
  5. 小巧的 QFN 封装形式,有助于缩小 PCB 占用面积。

应用

GA0402A151GXAAC31G 广泛适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
  2. USB-PD 充电器和快充适配器
  3. 智能手机和笔记本电脑无线充电模块
  4. LED 驱动电源
  5. 太阳能微型逆变器
  6. 通信设备中的高效电源管理系统

GA0402A151GXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-