时间：2025/9/6 9:45:08
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KS33K5 是一款由韩国公司 KEC（Korea Electronics Corporation）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动等高效率功率转换场合。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合用于中高功率的电子系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
漏极电流 Id：110A
导通电阻 Rds(on)：5.8mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KS33K5 MOSFET 具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻 Rds(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在高电流应用中表现出良好的热稳定性，支持大电流连续工作。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容标准逻辑电平控制，便于与各类驱动电路配合使用。
此外，KS33K5 内部结构优化，具备较强的抗雪崩击穿能力和过热保护特性，适用于恶劣工作环境。其封装形式（TO-252）便于散热设计，适合贴片工艺，广泛用于各类电源模块和功率控制电路中。
KS33K5 常用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、马达驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高电流能力和低导通电阻，也常被用于高亮度 LED 驱动、电源适配器和功率放大器等应用场景。
SiR33DP-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, FDS6680, AUIRF1324S-7P
