时间：2025/12/29 14:07:37
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G60N100D是一款高耐压、大电流的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用中。这款器件采用了先进的平面技术，具有优异的导通电阻和热性能，适用于各种高电压和高电流场景，例如电源转换器、电机控制、工业自动化系统等。该器件的封装形式为TO-247，便于散热并适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1000V
最大漏极电流(Id)：60A（常温下）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.27Ω（最大值0.33Ω）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约4V（范围通常为2V至5V）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-247
G60N100D具备多项优良特性，使其适用于高功率和高电压环境。首先，其高耐压能力（1000V Vds）允许其在高压直流-直流转换器、电源供应器以及高电压电池管理系统中使用。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的最大漏极电流能力（60A），适合高功率负载应用，例如工业电机驱动和电源模块。
在热管理方面，G60N100D的TO-247封装提供了良好的热导出能力，确保在高负载下仍能维持稳定的性能。其宽工作温度范围（-55℃至+150℃）也增强了其在极端环境下的可靠性，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等应用。
此外，该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关电路。这使得它在谐振变换器、软开关电源以及高效率逆变器中表现优异。同时，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高能效。
G60N100D适用于多种高功率和高电压电子系统。常见的应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、工业电机控制、变频器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及高功率LED照明驱动电路。由于其高耐压和大电流特性，它也常用于家电中的电机控制，例如空调压缩机、洗衣机驱动系统等。此外，在新能源汽车的车载充电系统和电池管理系统中，该器件也有广泛应用。
G60N100S、G80N100D、G60N120GD、IXGH60N100B3
