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IRLR130ATM 发布时间 时间:2025/12/23 13:39:29 查看 阅读:27

IRLR130ATM是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平MOSFET,采用TO-263-3封装形式。该器件以其低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度而闻名,适用于多种高频、高效能应用场合。
  该型号主要针对消费电子、工业控制和通信设备等领域设计,能够提供高效的功率转换和开关功能。由于其出色的性能表现,IRLR130ATM在各种电路中被广泛用作功率开关或负载驱动元件。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷:27nC
  总功耗:93W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IRLR130ATM具有非常低的导通电阻(典型值为4.5mΩ),这使其在功率传输过程中损耗极小,从而提高了整体效率。
  此外,它的快速开关能力和较低的栅极电荷使得它非常适合高频应用,例如DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等场景。
  器件的工作温度范围宽广,从-55°C到175°C,因此能够在极端环境下稳定运行。同时,它还具备优异的热特性和电气稳定性,确保长期可靠使用。
  由于采用了先进的制造工艺,IRLR130ATM拥有较小的体积和较轻的质量,便于集成到紧凑型设计中。

应用

IRLR130ATM广泛应用于需要高效功率转换的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 逆变器及不间断电源(UPS)
  6. 工业自动化设备中的负载切换
  7. 消费类电子产品中的功率管理模块

替代型号

IRLR130G, IRLR130TRPBF

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IRLR130ATM参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 6.5A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds755pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)