G5121TB1U是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT模块,采用半桥拓扑结构设计。该模块广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、新能源逆变器等领域。其高可靠性、低损耗和优异的热性能使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
该模块内部集成了两个IGBT单元和相应的续流二极管(FWD),并且具备短路保护功能。通过优化芯片设计和封装工艺,G5121TB1U能够提供高效的功率转换能力。
额定电压:1200V
额定电流:50A
开关频率:最高可达20kHz
结温范围:-40℃至+150℃
导通压降:约2.0V(典型值,在25℃下)
关断损耗:约12mJ(典型值)
开通损耗:约8mJ(典型值)
绝缘耐压:2500V(一分钟,工频)
G5121TB1U采用了先进的IGBT芯片技术和优化的封装设计,具有以下主要特性:
1. 高电压耐受能力:额定电压为1200V,适用于高压环境下的功率转换应用。
2. 低导通损耗:优化的芯片设计降低了导通压降,从而提高了整体效率。
3. 短路保护功能:在发生异常短路时,模块能够承受一定时间的短路电流,保护系统免受损坏。
4. 半桥拓扑结构:模块内部集成两个IGBT单元和对应的续流二极管,适合用于各种逆变器和变频器应用。
5. 优异的热性能:模块封装采用高效的散热设计,确保在高功率运行时保持良好的温度稳定性。
6. 可靠性高:通过严格的质量控制和测试流程,确保模块在各种恶劣环境下均能稳定工作。
G5121TB1U适用于多种工业和商业场景中的功率转换应用,包括但不限于:
1. 工业变频器:用于调节电机速度和转矩。
2. 伺服驱动器:实现精确的位置和速度控制。
3. 不间断电源(UPS):为关键设备提供稳定的备用电源。
4. 新能源逆变器:将直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统等可再生能源应用。
5. 电动汽车充电设备:支持快速充电和高效能量转换。
6. 其他需要高效功率转换的工业设备。
G5121TB1U的替代型号包括:
G5121TB1
G5121TB1L
G5121TB1UL
FZ120R12KE3
FF50R12ME4
FF45R12ME4