类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：500V
　　连续漏极电流(ID)：4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值1.8Ω，最大值2.2Ω @ VGS=10V
　　阈值电压(VGS(th))：2~4V
　　输入电容(Ciss)：典型值520pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：典型值100pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：典型值45ns
　　最大功耗(PD)：50W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

G4PH50U具备多项关键性能优势，使其在中高压功率MOSFET市场中具有较强的竞争力。首先，其500V的高击穿电压使其适用于多种离线式开关电源设计，能够承受较高的瞬态电压冲击，提升系统的安全性与稳定性。其次，该器件在VGS=10V时的导通电阻RDS(on)仅为2.2Ω最大值，这一低阻特性有效降低了导通期间的功率损耗，提高了整体能效，尤其适合对温升敏感的应用场景。
　　该MOSFET采用了优化的平面栅结构，确保了良好的栅极控制能力和开关速度。其输入电容Ciss约为520pF，输出电容Coss约为100pF，这些电容参数在高频开关应用中表现出色，有助于减少驱动电路的负担并降低开关损耗。同时，较短的反向恢复时间trr（约45ns）意味着其内置体二极管在换流过程中产生的反向恢复电荷较少，从而减少了交叉导通风险和电磁干扰（EMI），特别适用于半桥或全桥拓扑结构。
　　在可靠性方面，G4PH50U经过严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲雪崩能量耐受能力，能够在过压或负载突变等异常工况下保持不损坏，增强了整个电源系统的鲁棒性。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。
　　封装方面，TO-220或TO-247形式不仅提供了良好的电气隔离，还便于通过散热片进行有效热管理，确保长时间高负荷运行下的热稳定性。综合来看，G4PH50U在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是许多中等功率电源设计中的理想选择。

G4PH50U广泛应用于多种需要高效、高电压开关能力的电力电子设备中。典型应用包括通用开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器和工业电源模块，其500V耐压能力可直接接入整流后的市电母线电压，简化电路设计。在LED照明驱动领域，特别是大功率户外LED灯具电源中，G4PH50U用于PFC（功率因数校正）升压电路或主DC-DC变换级，帮助实现高能效和长寿命。
　　此外，该器件也常见于家电类产品中的变频控制模块，例如空调、洗衣机和冰箱的压缩机或风机驱动电路，作为功率开关元件参与PWM调制控制。在光伏微型逆变器或小型太阳能发电系统中，G4PH50U可用于DC-AC逆变桥臂，完成直流到交流的能量转换任务。
　　由于其具备较快的开关速度和较低的开关损耗，G4PH50U同样适用于高频DC-DC变换器，如LLC谐振转换器或反激式电源的主开关管。在电机驱动应用中，尤其是在小功率无刷直流电机（BLDC）控制器中，该MOSFET可作为上桥或下桥开关使用，提供可靠的电流切换能力。
　　工业自动化设备中的电源单元、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）辅助电源等也是其典型应用场景。凭借良好的热性能和稳定的电气参数，G4PH50U能够在长时间运行条件下保持性能一致性，满足工业级产品的严苛要求。

STP5NK50ZFP, FQP5N50, 2SK3562, KF50N05