时间:2025/12/26 19:10:05
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G4PC50FD是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高压超快速整流二极管,广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等高频率电力电子系统中。该器件采用先进的平面硅技术制造,具备优良的反向耐压能力和较低的正向导通压降,能够在高温和高电压环境下稳定工作。G4PC50FD的额定反向重复峰值电压(VRRM)为500V,平均整流电流(IO)可达4A,适用于需要高效能、高可靠性的功率整流场合。其封装形式为DFLP5(Double-sided Flat Lead Package),具有良好的散热性能和紧凑的结构设计,适合现代高密度PCB布局需求。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备低漏电流、高浪涌电流承受能力等特点,增强了系统的安全性和稳定性。由于其优异的开关特性,G4PC50FD在减少开关损耗、提升电源效率方面表现突出,是工业电源、消费类电子电源适配器、照明电源以及光伏逆变器中的理想选择之一。
型号:G4PC50FD
制造商:STMicroelectronics
器件类型:超快恢复整流二极管
最大重复反向电压 VRRM:500V
最大直流阻断电压 VR:500V
平均整流电流 IO (半波, 60Hz):4A
峰值非重复浪涌电流 IFSM:150A (单脉冲, 半正弦波)
正向电压降 VF @ IF=4A, TJ=25°C:约1.45V
反向恢复时间 trr:典型值35ns
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +150°C
存储温度范围 Tstg:-55°C 至 +150°C
热阻结至壳 Rth(j-c):约1.75 K/W
封装形式:DFLP5
引脚数量:5
符合 RoHS 标准:是
G4PC50FD的核心优势在于其出色的动态响应特性和高效的能量转换能力。该二极管采用了先进的超快恢复技术,反向恢复时间(trr)典型值仅为35ns,极大降低了在高频开关应用中的反向恢复电荷(Qrr)和开关损耗,从而显著提升了电源系统的整体效率。尤其在硬开关拓扑如反激式(Flyback)、正激式(Forward)和LLC谐振变换器中,短的反向恢复时间可有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高系统可靠性。
在电气性能方面,G4PC50FD在4A电流下的正向压降约为1.45V(25°C),虽然略高于肖特基二极管,但其500V的高耐压能力弥补了这一差距,使其适用于更高电压等级的应用场景。同时,该器件具备高达150A的峰值浪涌电流承受能力,能够有效应对启动或负载突变时的瞬态冲击,增强了系统的鲁棒性。
热性能方面,DFLP5封装提供了优异的散热路径,双面散热设计使得热量可以从顶部和底部同时传导至PCB,有效降低结温上升速度,延长器件寿命。该封装还具有较小的寄生电感,有助于减少高频下的电压振荡问题。此外,器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在极端环境条件下稳定运行,适用于工业级和严苛户外应用场景。
G4PC50FD还具备极低的反向漏电流,在高温条件下仍能保持良好的阻断特性,减少了静态功耗。其可靠性经过严格测试,符合AEC-Q101汽车级认证要求(若适用),表明其在振动、湿度和温度循环等恶劣条件下的长期稳定性。综合来看,G4PC50FD是一款兼顾高性能、高可靠性和良好热管理的超快恢复二极管,特别适合对效率和稳定性要求较高的现代开关电源设计。
G4PC50FD主要应用于各类中高功率开关模式电源(SMPS)中,尤其是在需要高效率和高频率工作的场合。典型应用包括AC-DC适配器、充电器、机顶盒、液晶电视电源单元以及工业控制电源模块。由于其500V的反向耐压和4A的整流电流能力,它常被用作主电路中的输出整流二极管或钳位二极管,特别是在反激式和正激式拓扑结构中发挥关键作用。
在LED照明驱动电源中,G4PC50FD可用于隔离型恒流电源的次级侧整流,确保光输出的稳定性和长寿命。其快速恢复特性有助于减少开关过程中的能量损耗,提升整体能效,满足能源之星等能效标准要求。
此外,该器件也适用于光伏逆变器中的辅助电源部分,或作为直流链路中的保护性续流二极管。在电机驱动和UPS不间断电源系统中,G4PC50FD可用于提供可靠的续流路径,防止感性负载产生的反电动势损坏开关器件。
得益于其DFLP5封装的小型化与高效散热特性,G4PC50FD非常适合空间受限但散热要求高的紧凑型电源设计。例如,在平板电脑电源、超薄显示器和嵌入式工业设备中,该器件能够在不牺牲性能的前提下实现更高的功率密度。同时,其符合RoHS和无卤素的要求,也使其适用于对环保有严格要求的产品设计。总之,G4PC50FD凭借其高耐压、快恢复、高可靠性等优点,广泛服务于消费电子、工业自动化、绿色能源和通信基础设施等多个领域。
STTH4R05U
VS-F4PS50-M3-08
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