时间：2025/7/26 18:20:07
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IXFH80N06 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为需要高电流、高效率和低导通损耗的功率开关应用而设计，广泛应用于工业电源、电机控制、逆变器、焊接设备和不间断电源（UPS）系统中。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和高功率处理能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：80A（连续）
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值 7.5mΩ（最大值 9.5mΩ）
功率耗散（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXFH80N06 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作时的导通损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。
该器件具备高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高功率环境下稳定运行，适用于对热性能有严格要求的应用场景。
其 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，并便于安装在散热器上，有助于提高长期运行的可靠性。
此外，IXFH80N06 具备快速开关特性，适用于高频开关电源和电机驱动等应用，减少了开关损耗并提升了动态响应能力。
该 MOSFET 还具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护，增强系统的稳定性和耐用性。
IXFH80N06 常用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、逆变器、焊接设备和工业自动化控制系统中。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在电池供电系统、电动工具和电动汽车的电源管理模块中也具有广泛应用。
此外，该 MOSFET 在 UPS（不间断电源）和功率因数校正（PFC）电路中也表现出优异的性能，适用于需要高可靠性和高效率的工业和通信设备。
在太阳能逆变器和储能系统中，IXFH80N06 可作为关键的功率开关元件，实现高效能量转换和稳定运行。
IXFH80N06P, IXFH80N06Q, IRFP4468PBF, IXFH85N06
