时间：2025/4/30 9:53:25
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G4N65是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等场景。它属于N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点。
该器件通常采用TO-220封装形式，适合高功率密度的应用环境，其出色的电气性能使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.3A
栅极电荷：78nC
导通电阻：1.2Ω
功耗：140W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
G4N65具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，能够承受高达650V的漏源电压，适用于各种高压应用场合。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)）确保在大电流条件下降低功率损耗，提高效率。
3. 快速开关特性使其在高频电路中表现优异，减少开关损耗。
4. 稳定的电气性能，在极端温度环境下依然保持良好的工作状态。
5. TO-220封装提供优秀的散热性能，便于安装和使用。
G4N65主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于高效功率转换。
2. 电机驱动控制，特别是在直流无刷电机和其他功率驱动系统中。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. LED照明驱动电路，为LED灯提供稳定的电流输出。
5. 适配器和充电器设计，提升整体能效并满足严格的环保标准。
IRFZ44N
FDP5570
STP10NK60Z
