时间：2025/9/14 15:45:52
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AP90N03P是一款由友茂（Alpha & Omega Semiconductor）生产的P沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电设备等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现了低导通电阻和高效率的功率转换。AP90N03P封装为TO-252（DPAK），便于在PCB上安装和散热管理，适合中高功率应用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-90A（@ VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（@ VGS = -10V）
阈值电压（VGS(th)）：-1.1V ~ -2.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
AP90N03P采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体效率。该器件在高电流应用中表现出色，能够支持高达-90A的连续漏极电流，适合用于高功率密度的电源系统。AP90N03P的栅极驱动电压范围较宽，可在-10V至+20V之间稳定工作，增强了其在不同控制电路中的适应性。此外，其较高的热稳定性与良好的封装散热设计相结合，使其在高温环境下也能保持稳定运行。该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在极端工况下的可靠性。AP90N03P的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提升能效，特别适合高频开关应用。其TO-252封装设计简化了PCB布局，并有利于散热管理，适合用于中高功率级别的应用场合。
AP90N03P常用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备和工业控制系统的电源模块中。此外，该器件也广泛应用于电机驱动电路、UPS系统和高功率LED照明控制电路。
Si4410BDY、NTMFS4935N、AO4407、IRF9540N
