类型：MOS FET继电器（无触点继电器）
　　通道数：1 Form A（单刀单掷常开型）
　　输入正向电流（IF）：50 mA（最大值）
　　输入反向电压（VR）：5 V（最大值）
　　输出导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大值12 Ω
　　输出耐压（VDS）：60 V（最大值）
　　连续负载电流（IO）：360 mA（最大值）
　　峰值负载电流（IOP）：720 mA（最大值）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：1000 MΩ 最小（500 VDC）
　　介电强度：2500 Vrms（1分钟，输入-输出间）
　　响应时间（ON）：典型值0.3 ms
　　响应时间（OFF）：典型值0.2 ms
　　封装形式：SOP-4（超小型表面贴装封装）
　　安装方式：表面贴装（SMT）

G3VM-61D1的核心特性之一是其低导通电阻与高负载能力的结合，在同类超小型光继电器中表现出色。其输出端采用一对背对背连接的功率MOSFET结构，使得器件能够高效地控制交流或直流负载，并在关断状态下承受高达60V的电压。这种结构不仅提高了系统的可靠性，还避免了传统机械继电器常见的电弧、触点磨损和接触不良等问题。此外，该器件的导通电阻典型值仅为8Ω，确保在通过360mA连续电流时功耗较低，减少了发热风险，提升了整体能效。
　　另一个显著特点是其快速响应能力。G3VM-61D1的开启时间典型值为0.3毫秒，关闭时间典型值为0.2毫秒，远快于传统电磁继电器（通常在几毫秒到十几毫秒）。这一特性使其非常适合用于需要高频切换的应用场景，如自动测试设备中的信号路由、数据采集系统的通道选择或多路复用器控制。同时，由于没有机械运动部件，它的机械寿命理论上是无限的，远远超过传统继电器的数十万次操作限制。
　　该器件还具有优异的电气隔离性能。输入与输出之间可承受2500Vrms的隔离电压，满足大多数工业安全标准要求，适用于不同电位之间的信号传输和控制。其高绝缘电阻（≥1000MΩ）进一步保证了信号完整性，防止漏电流影响敏感电路。此外，G3VM-61D1采用SOP-4封装，尺寸紧凑，适合现代电子产品对小型化和高集成度的需求。其表面贴装设计也兼容自动化贴片生产线，有利于提高制造效率并降低组装成本。

G3VM-61D1因其小尺寸、高可靠性和良好的电气性能，被广泛应用于多种电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块和传感器接口电路中，作为执行机构的驱动开关或状态反馈通路的控制元件。其无触点特性特别适合恶劣环境下的长期运行，例如高温、高湿或多粉尘场合。
　　在测试与测量设备中，G3VM-61D1可用于构建自动测试系统（ATE）中的多路开关矩阵，实现对多个待测器件的快速切换和信号路径选择。其低导通电阻和快速响应能力有助于提高测试精度和吞吐量。
　　通信设备中也常见其身影，例如在程控交换机、网络路由器或基站模块中用于电源管理或信号通断控制。由于其支持SMT工艺且体积小，非常适合高度集成的通信主板设计。
　　此外，在医疗电子设备中，如监护仪、诊断仪器或便携式检测装置，G3VM-61D1可用于隔离控制电路与患者连接部分，保障用电安全。其无噪声操作也有助于维持医疗环境的安静。
　　消费类电子产品中，尽管大电流需求较多，但在一些高端音频设备或精密控制面板中，该器件也可用于高质量信号切换，避免机械触点带来的杂音和老化问题。

G3VM-61D2
　　G3VM-61E1
　　TLP3541
　　TLP3543