类型：MOSFET继电器（双向）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（最大）：60 V
　　连续通态电流（IO）：1.2 A
　　导通电阻（RON）：典型值80 mΩ，最大120 mΩ
　　隔离电压（输入-输出）：5000 Vrms
　　动作时间（ton）：典型值1 ms
　　释放时间（toff）：典型值0.5 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON-4（超薄小外形无引线封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

G3VM-XNF的核心特性之一是其极低的导通电阻，典型值仅为80毫欧，这使得它在传导电流时产生的功耗非常小，有助于提高系统的整体能效并减少热积累。这一特性尤其适合用于电池供电设备或对温升敏感的应用场合。此外，低RON还意味着在相同电流条件下电压降更小，能够更高效地传输功率，提升了系统的稳定性与可靠性。
　　另一个显著特点是其电气隔离性能优异，输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的隔离电压，确保了控制系统与负载电路之间的安全隔离，有效防止高压窜入低压控制侧造成损坏或安全隐患。这种高绝缘强度使其适用于工业自动化中的PLC模块、传感器接口以及医疗设备等人身安全要求较高的领域。
　　该器件采用无触点MOSFET输出结构，避免了传统电磁继电器存在的机械磨损、弹跳和电弧等问题，因此具有极长的使用寿命且无需维护。同时，其开关动作无声，不会产生电磁干扰（EMI），有利于构建低噪声的电子环境。
　　G3VM-XNF具备快速的响应能力，开通时间仅需约1ms，关断时间更是低至0.5ms，适合需要高频切换的应用场景。配合其小型化TSON-4封装，尺寸仅为约3.0 × 2.6 × 0.9 mm，极大地节省了印刷电路板空间，满足现代电子产品向轻薄短小发展的趋势。
　　该器件还具备良好的抗冲击和振动性能，适用于恶劣环境下的稳定运行。其输入驱动逻辑兼容标准TTL或CMOS电平，通过限流电阻即可直接由微控制器GPIO驱动，简化了外围电路设计，降低了系统复杂度。

G3VM-XNF广泛应用于各类需要高可靠性和小尺寸继电器的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC输入/输出模块中的信号切换、传感器电源控制以及小型执行器驱动等场景。由于其高隔离电压和抗干扰能力强，非常适合用于工业现场环境中实现控制回路与动力回路的安全隔离。
　　在通信设备中，该器件可用于多路信号选择、音频/视频通道切换以及远程监控系统的远程控制开关，其低导通电阻保证了信号完整性，而快速响应则支持动态路由切换需求。
　　在测试与测量仪器中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统等，G3VM-XNF可用于精密信号路径的通断控制，因其无触点特性不会引入接触噪声或氧化问题，保障了测量精度的长期稳定性。
　　此外，在医疗电子设备中，如病人监护仪、便携式诊断设备等，该继电器用于电源管理或信号隔离，满足医疗器械对安全性、可靠性和小型化的严格要求。
　　消费类电子产品中，例如智能家居控制模块、楼宇自动化系统中的灯光或窗帘控制单元，也越来越多地采用此类固态继电器替代传统机械继电器，以提升产品寿命和用户体验。

G3VM-61VY\G3VM-62VY\G3VM-407B