时间：2025/12/27 1:03:38
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G3VM-WF-S是一款由Omron（欧姆龙）生产的MOS FET继电器，属于其先进的光耦继电器产品线。该器件采用先进的技术设计，结合了光耦合器的电气隔离特性和MOS FET作为输出开关元件的优势，实现了高速、长寿命和低功耗的信号切换功能。G3VM-WF-S采用紧凑的超小型表面贴装封装（S-MINI），尺寸仅为3.95 mm × 2.7 mm × 2.7 mm，适用于对空间要求极为严格的高密度印刷电路板设计。该继电器无机械触点，因此不存在传统电磁继电器常见的磨损、弹跳和电弧问题，具有极高的可靠性和耐久性，可实现数亿次的开关操作。由于其固态结构，G3VM-WF-S具备出色的抗冲击和抗振动能力，适合在恶劣环境中使用。该器件广泛应用于工业自动化、测试与测量设备、通信系统、医疗电子以及消费类电子产品中，尤其适合作为模拟和数字信号路径中的电子开关。输入侧采用红外LED作为光源，输出侧为一对背对背连接的MOS FET，使其能够处理交流和直流信号，并支持双向电流传输，增强了应用灵活性。
类型：MOS FET继电器（单极常开型）
输入正向电压（VF）：1.2 V（典型值，IF=5 mA）
输入反向电压（VR）：5 V
输入电流（IF）：50 mA（最大值）
导通电阻（RON）：0.5 Ω（最大值，VCC=5 V，IF=5 mA）
输出耐压（VOFF）：60 V（最大值）
负载电流（ON状态，IO）：2 A（最大值）
隔离电压（Viso）：5,000 Vrms（1分钟，AC）
工作温度范围：-20°C 至 +85°C
封装形式：S-MINI（表面贴装）
响应时间（开启/关闭）：1 ms 以下
电容（COFF）：1 pF（典型值，VOUT=0 V）
泄漏电流（ID OFF）：1 μA（最大值，VOFF=60 V）
G3VM-WF-S的最显著特性之一是其超低导通电阻，典型值仅为0.5 Ω，这使得它在信号传输过程中几乎不会引入额外的电压降或功率损耗，特别适合用于精密模拟信号切换和高保真音频路径控制。低RON还意味着在承载较大负载电流时产生的热量较少，有助于提升系统的热稳定性和长期可靠性。此外，该器件的输出端采用互补MOS FET结构，确保了对称的导通特性，无论电流方向如何，都能提供一致的电阻性能，从而支持交流信号和双向直流信号的无缝切换。
另一个关键特性是其卓越的电气隔离能力，高达5,000 Vrms的隔离电压使其能够安全地隔离高压侧与低压控制电路，有效防止噪声干扰和电压浪涌对敏感控制单元的影响。这种高隔离性能在工业控制系统、医疗设备和电源管理模块中尤为重要。同时，由于采用光耦驱动方式，输入与输出之间完全电气隔离，仅通过光信号传递控制指令，避免了地环路和共模干扰问题。
G3VM-WF-S还具备快速开关响应能力，开启和关闭时间均小于1毫秒，远快于传统电磁继电器，适用于需要高频切换的应用场景，如自动测试设备（ATE）中的通道多路复用。其固态结构无机械磨损，寿命可达数亿次操作，极大减少了维护需求和系统停机时间。此外，S-MINI封装不仅体积小巧，还优化了散热路径，提升了功率密度。器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于现代绿色电子产品制造。
G3VM-WF-S广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和低导通电阻的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）中的I/O信号切换、传感器接口和执行器控制，其高隔离性和抗干扰能力确保了工业环境下的稳定运行。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和示波器，该继电器用于构建多路复用开关矩阵，实现对多个待测信号的快速、精准切换，其低电容和低泄漏特性保证了信号完整性。
在通信系统中，G3VM-WF-S可用于射频和中频信号路径的切换，支持宽带信号传输而不引入明显失真。其双向导通能力也使其适用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制，以及便携式医疗设备中的低功耗信号路由。此外，在高端音频设备中，如专业调音台和耳机放大器，该继电器可作为静音开关或输入选择开关，因其无触点结构不会产生开关噪音，且低RON有助于保持音频信号的高保真度。由于其表面贴装封装，也非常适合大规模自动化生产，广泛用于消费类电子产品中的功能切换模块。
G3VM-61VY,G3VM-61GL,G3VM-401S
